日本科技大廠富士通（Fujitsu）于13日宣布，研發出型號為MB85RS64TU的64-Kbit FRAM。此款存儲器能在攝氏零下55度中運行，為富士通電子旗下首款能耐受如此低溫的FRAM非揮發性存儲器，現已量產供貨。

富士通指出，FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存資料的存儲器，即便在沒有電源的情況下仍可保存資料。而且FRAM結合了ROM和RAM的特性，擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀/寫周期的優點，富士通自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。

值得一提的是，FRAM產品保證10萬億次的讀/寫周期，大約是競爭對手的非揮發性存儲器EEPROM的1千萬倍。因此，許多需要頻繁覆寫資料的工業應用，例如即時資料記錄與3D位置資料記錄等，都采用FRAM的產品。

富士通進一步表示，新款的FRAM支援范圍極廣的電源電壓，從1.8伏特至3.6伏特，并支援更低的運作溫度，最低可達攝氏零下55度，超越競爭對手存儲器的最低運作溫度。由于，能在運作溫度范圍內保證10萬億次讀/寫周期，故適合用于像在極寒地區挖掘天然氣與石油的設備或機具等的工業機具上，包括測量設備、流量計、及機器人等的一般工業應用。

FRAM產品已推出業界標準的8-Pin SOP封裝，使其能取代8-Pin SOP封裝的EEPROM。此外，還提供擁有2.00 x 3.00 x 0.75 mm極小尺寸的8-Pin SON封裝。SON的表面貼裝面積僅為SOP封裝的30%，而貼裝體積更僅為SOP的13%，更適合應用于輕量化的現代工具設備上。

富士通表示，2017年富士通發表能在攝氏125度環境中運作的FRAM產品，擴展運行溫度的高溫極限。此次，再開發出的零下55度產品，進一步擴展運行溫度的低溫極限。