180億進軍DRAM存儲器

兆易創新10月27日公告中顯示，為進一步推動公司發展，北京兆易創新科技股份有限公司與合肥市產業投資控股（集團）有限公司于2017年10月26日簽署了《關于存儲器研發項目之合作協議》，協議規定，雙方將在安徽省合肥市經濟技術開發區合作開展工藝制程 19nm存儲器的 12 英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）研發項目（以下簡稱“本次合作”或“本項目”），本項目預算約為180億元人民幣。

據協議約定，兆易創新與合肥產投依據1:4負責籌集資金，項目內容為在合肥市經濟技術開發區空港經濟示范區內開展工藝制程19nm 存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）的研發，目標是在2018年12月31日前研發成功，即實現產品良率（測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于10%，并約定如果達產5年內（2013年之前），兆易創新（或共同認可的第三方）定向收購合肥產投權益。

按照項目產能的約定，在保證合法合規的前提下，項目研發及生產的DRAM產品優先供兆易創新銷售并滿足兆易創新客戶的市場需求，價格參照市場行情且給予最佳優惠。項目優先承接兆易創新DRAM產品的代工需求，為兆易創新設計產品的流片、生產提供支持與便利，價格參照市場行情且給予最佳優惠。

不過，根據約定，雙方《合作協議》需要滿足兩個條件后才生效：其一，國資監管機構審批同意合肥產投簽署《合作協議》；其二，兆易創新董事會、股東大會審議同意本公司簽署《合作協議》。目前兆易創新已召開董事會會議，全體董事一致通過了《關于簽署的議案》，同意兆易創新與合肥產投簽署《合作協議》，共同投資開展本項目。《合作協議》的有效期為生效之日起5年。

這次兆易創新和他的合作，整合合肥長鑫和兆易創新的資源，對國產DRAM產業是一個重大的推進。

按照產能規劃，正式投產后兆易創新將成為全球第四大DRAM廠商。如此一來，兆易創新在存儲芯片又增加一條重要產品線。

DRAM方面，兆易創新項目投產19nm將成為全球第四家能夠掌握20nm內的DRAM廠商，預計2018Q1設備到位，年底前實現10%的良率水平，以目前產能規劃及價格，項目達產后實現50億美金左右的銷售額。

Nor flash方面，由于美國美光、賽普拉斯上半年中小容量退出市場，兆易創新目前是全球前三廠商。

Nand slc方面，38nm已經開始出貨，預期18年上半年24nm產品開始推出，應用于物聯網、通信類、工控等產品。

MCU方面，兆易創新率先于2013年4月推出中國首款ARM®Cortex®-M3內核32位通用MCU產品，又相繼推出了中國首個Cortex®-M4MCU系列產品，整體產品規劃走在市場前列，是華為NB-IOT生態四大供應商之一，市場份額不斷擴大。

人工智能和物聯網都是未來十年的大風口，存儲芯片就站在這兩大風口上，兆易創新是國產存儲芯片行業的領先企業，如果合肥空港項目成功，那么技術和產能都搞定了，兆易創新有成為新股王的潛力。

據統計，過去一年內該股有7次漲停，漲停后第二交易日漲6次，跌1次，漲占比85.71%，跌占比14.29%；過去一年內該股有4次跌停，跌停后第二交易日漲2次，跌2次，漲占比50.00%，跌占比50.00%。

兆易創新所在的電子元器件行業，整體漲幅為0.51%，兆易創新漲幅為10.0%。

前三季度凈利潤3.39億元 同比增長134.74%

另一個利好消息是其第三季度財報成績喜人。

10月27日，兆易創新發布2017年三季報，公司前三季度實現營業收入15.17億元，同比增長44.69%；半導體及元件行業平均營業收入增長率為33.95%；歸屬于上市公司股東的凈利潤3.39億元，同比增長134.74%，半導體及元件行業平均凈利潤增長率為15.74%，公司每股收益為1.70元；毛利率38.57%，較中報35.69%繼續上行。

兆易創新單三季度表現更加亮眼。單季度營收5.78億，同比增長47%，環比增長19%，毛利率達到43.25%，環比提升2個點；凈利潤1.58億，同比增長189%，環比增長46%，其中公司還計提資產減值3000萬，其中主要為DRAM存貨減值（市場供不應求），匯兌損益1000萬左右；存貨進一步增加，由4億提升至5億，漲價大周期中庫存與存貨才是生命線，在上漲周期中貨比錢還值錢。

兆易創新表示，今年前三季度市場需求增加，導致公司銷售增幅較大，公司報告期內凈利潤較去年同期大幅增長。預計2017年第四季度市場需求保持樂觀，銷售收入相應增加，初步預計累計凈利潤與上年同期相比大幅增加。

據悉，上半年兆易創新NOR Flash和MCU系列產品線也推出諸多新品，包括推出了超低功耗的NOR Flash產品、型微控制器新品和指紋識別FPR系列專用MCU等。

9月初，兆易創新披露與中芯國際簽署12億元采購的《戰略合作協議》，該協議為供貨合作協議，合同標的為原材料晶圓，將有利于保障兆易創新長期穩定的產能供應，進一步鞏固雙方的長期合作伙伴關系、增強競爭優勢。

同樣在9月份，兆易創新與國家大基金、北京啟迪中海創業投資有限公司、盈富泰克創業投資有限公司簽署的《股份轉讓協議》正式完成過戶登記手續。

大基金作為戰略投資者成為了兆易創新第二大股東，將發揮國有背景產業基金的產業發展引導作用，支持兆易創新成為國際領先的存儲芯片和MCU設計公司，推動公司產品的產業化應用，形成良性自我發展能力，同時帶動國家存儲產業的整體發展。

關于兆易創新

兆易創新，全稱北京兆易創新股份有限公司，成立于2005年4月，是一家以中國為總部的全球化芯片設計公司，致力于各類存儲器、控制器及周邊產品的設計研發。

2005年，在硅谷實戰多年的朱一明決定回國創業。當年4月份朱一明成立北京芯技佳易微電子科技有限公司，獲得了啟迪之星投資。2010年更名為北京兆易創新科技有限公司。

在2006年兆易量產了第一顆基于SRAM技術的Terayon系列產品，并于2008年前后量產了具有通用SPI接口的512Kb到32Mb的Flash存儲器。據公司資深產品市場經理金光一后來的介紹，無論是SRAM還是SPI NOR Flash產品，在當年都是國內銷量第一。

2011年，兆易創新又率先打入手機產業鏈并促使其不斷完善，形成了新的產業格局，使手機市場開始大量采用大陸廠的高性價比SPI閃存。

2013年兆易創新在串行閃存領域全球市場占有率達到22. 4％，一舉躋身世界前三名，成為該領域全球最大的Fabless供應商。

2013年4月，兆易創新推出的GD32系列32位通用MCU，該成果是中國首個基于ARM Cortex－M3內核的32位通用微控制器，填補了國內相關領域空白，打破了歐美廠商壟斷。

2014年兆易創新開始了對臺灣的布局，透過區域代理商對臺灣的客戶進行銷售與技術服務，以海外區域的業績貢獻而言，臺灣市場是兆易成長最快的幾個重點市場之一，主要的應用在條碼列印機、掃描器、掃地機器人、LED戶外廣告機顯示或部分工業與車用控制模組如車載診斷系統（On－Board Diagnostic）上都有相當的斬獲。

2015到2016年兆易創新還陸續推出了，GD32F2增強型Cortex－M3，GD32F450系列200MHz主頻Cortex－M4 MCU和GD32F405／407互聯型Cortex－M4 MCU等一系列產品。

2016年8月18號，兆易創新在上交所上市。