最近有位半導體產業分析師針對英特爾(Intel)將在下兩個工藝世代使用的技術，提出了大膽且詳細的預測；如果他的預言成真，意味著芯片龍頭英特爾又將大幅超前其他半導體同業。

 

這位分析師David Kanter在他自己的網站發表一篇分析文章，指出英特爾將會在10納米節點采用量子阱(quantum well) FET；這種新的晶體管架構將會采用兩種新材料──以砷化銦鎵(indium gallium arsenide，InGaAs)制作n型晶體管，以應變鍺(strained germanium)制作p型晶體管。

 

 

英特爾曾在2009年的IEDM會議論文透露其正在開發的InGaAs制程技術
 

 

若預測正確，英特爾最快在2016年可開始生產10納米工藝晶體管，且功耗能比其他工藝技術低200毫伏(millivolts)；Kanter預期，其他半導體制造業者在7納米節點之前難以追上英特爾的技術，差距約是兩年。Kanter指出，英特爾可能還要花一年多的時間才會公布其10納米工藝計劃，而他自認其預測有90%的準確度。

 

英特爾曾在2009年的IEDM會議論文透露其正在開發的InGaAs工藝技術

 

Kanter的分析文章是根據對英特爾在年度IEEE國際電子組件會議(IEDM)發表的數十篇篇論文研究所得，此外還有英特爾與芯片制造相關的專利；他在接受EETimes美國版訪問時表示：“我所看到的一切都朝這個方向發展；問題應該不在于英特爾會不會制作量子阱FET，而是他們會在10納米或7納米節點開始進行。”

 

“在晶體管通道采用復合半導體材料并非只有英特爾一家在研究，但顯然到目前為止沒有人做到像英特爾所發表的這么多；”Kanter指出：“英特爾在鍺材料方面的論文與專利很少，但該技術較廣為人知。”此外他預期英特爾會采用純鍺，不過也可能會透過先采用硅鍺(silicon germanium)來達到該目標。

 

Kanter并表示他在發表分析文章之前，曾提供內容給英特爾看；不過該公司婉拒發表任何相關評論。