據(jù)經(jīng)濟(jì)日報(bào)早間引述供應(yīng)鏈消息稱，為應(yīng)對美國擴(kuò)大封鎖華為，臺積電通知設(shè)備廠，決定延后5nm擴(kuò)建及3nm試產(chǎn)腳步至明年首季。

報(bào)道指出，來自臺積電供應(yīng)鏈方透露 ，臺積電在上周已經(jīng)緊急通知設(shè)備商，將原來應(yīng)自7月起到年底交貨的設(shè)備盡數(shù)叫停。報(bào)道進(jìn)一步指出，臺積電方面不愿透露個別客戶產(chǎn)能配置；至于3nm試產(chǎn)時間，會在后續(xù)的法人說明會上對外進(jìn)行說明。

消息傳出后迅速引發(fā)業(yè)界關(guān)注，不過，臺積電方面很快就否認(rèn)了這一消息，表示包括5nm、3nm制程均照進(jìn)度進(jìn)行中，并未如外傳延后。

據(jù)中央社報(bào)道，受到疫情影響，市場近來多次傳出臺積電將延后先進(jìn)制程進(jìn)度，也恐因此調(diào)降今年資本支出，不過，臺積電在日前的法說會上表示，即便肺炎疫情帶來不確定性，但看好未來幾年高效運(yùn)算、5G需求，將持續(xù)布局先進(jìn)制程，重申今年資本支出金額維持不變、約150至160億美元。

據(jù)臺積電規(guī)劃，今年資本支出已有明確規(guī)劃，其中80%將用于3nm、5nm與 7nm等先進(jìn)制程技術(shù)，其余10%用于先進(jìn)封裝與光罩，另外10%用于特殊級制程技術(shù)。

據(jù)了解，臺積電3nm是5nm之后的下一代節(jié)點(diǎn)，官方信息顯示3nm工藝晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm²，而5nm工藝不過是1.8億/mm2，而3nm性能較5nm提升7%，能耗比提升15%。

在工藝上，臺積電評估多種選擇后認(rèn)為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首發(fā)依然會是FinFET晶體管技術(shù)。

先前市場亦有傳言稱，臺積電晶圓18廠的五、六期因招標(biāo)工程延后決標(biāo)，將影響3nm制程進(jìn)度，當(dāng)時臺積電回應(yīng)，采購招標(biāo)作業(yè)及3nm進(jìn)度均照計(jì)劃進(jìn)行中。

而近期在美國擴(kuò)大封鎖華為下，再傳出臺積電決定延后5nm擴(kuò)建，及3nm試產(chǎn)時程，將延后2季至明年第1季。對此，臺積電今日表示，包括5nm、3nm米制程，均照進(jìn)度進(jìn)行中，3nm將如期在2021年試產(chǎn)，并于2022年下半年量產(chǎn)。