三星在不久前發布的2018年Q4季度財報指引顯示三星當季盈利會大幅下滑。盈利暴跌的主要原因就是三星智能手機業務低迷，而最關鍵的是存儲芯片降價，這個趨勢將一直持續到今年上半年。

為彌補存儲芯片降價周期帶來的影響，三星強化了代工業務。要想趕超臺積電，就要搶在臺積電之前量產先進工藝了。根據三星高管表示，他們在今年下半年將量產7nm EUV工藝，而在2021年則會量產更加先進的3nm GAA工藝。

在去年年底，三星宣布將在2020年使用4nm GAA工藝。此前，有業內觀察人士對此曾提出過質疑，如Garner副總裁Samuel Wang對2022年之前量產GAA技術表示懷疑，而現在他已經打消了疑慮，并表示三星可能會比預期更早地將GAA芯片投入生產。

只不過，三星對于關于3nm GAA工藝何時量產的說法似乎并沒有一個統一的表態。三星晶圓代工業務負責人Eun Seung Jung曾在去年12月在IEDM會議上表示三星已經完成了3nm工藝技術的性能驗證，并在進一步完善該工藝，目標在2020年大規模量產。

3nm GAA工藝不論是在2020年還是2021年量產，現在都還有點遠。三星今年主推7nm EUV工藝，預計今年下半年量產——盡管三星去年就宣布7nm EUV工藝能夠量產了，實際上此前所說的量產是風險試產，遠沒有達到規模量產的地步，今年年底大規模量產才能真正落地。

根據三星官方新聞稿稱，三星7nm EUV工藝將于今年下半年正式量產。臺積電在此之前也宣布了7nm EUV工藝上今年量產。值得注意的是，兩家雖然同為7nm的工藝制程，但所采用的技術確完全不一樣。臺積電的7nm采用的是傳統光刻技術，性能提升相對不大，但在量產上能夠奪得先機。

三星的7nm工藝采用了先進的EUV（遠紫外區光刻）技術，這種技術優點在于已經接近性能極限，缺點是量產時間會比較晚。

隨著硬件工藝制程越來越向1nm逼近，原有的半導體光刻工藝技術已經出現了越來越明顯的局限性。制程技術如果想要有更高的突破，并且在未來7nm、5nm、3nm制程節點上有所發展，那么就必須要有新的制程技術。

對照10納米FinFET制程，三星的7納米LPP EUV工序較少、良率較高，而且面積效率提高40%，性能提高10%，功耗降低35%。因此，三星在7nm制程上無疑領先了不少，EUV極紫外光刻技術也將是下一代、甚至未來幾代制程工藝的主要技術。

這樣看來，在7nm EUV工藝上，三星并沒有進度優勢。不過，三星在7nm EUV工藝上有自己開發的光罩檢查工具，而目前市場上的其他廠商暫時還沒有類似的商業工具。