三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。

為了實現上述所有的改進，新一代V-NAND采用了96層層堆疊設計，它們堆疊成金字塔狀結構，中間有微小孔，這些小孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬。這種制造方法包括了許多先進技術，比如電路設計、新工藝技術等。具體細節三星未詳述，但該公司稱，V-NAND的改進讓每個存儲層的厚度已經削薄了20%，并使其生產效率提高了30%以上。
 

據了解，三星目前正在全力擴大第五代V-NAND 3D堆疊閃存的生產線以增加產量。另外還有消息稱，三星正在計劃開發1TB（128GB）容量的QLC V-NAND閃存顆粒，來降低超大容量的SSD產品售價，以滿足服務器、超算等高密度存儲領域需求。