中國企業將在不久的將來成為半導體內存市場的一股新勢力，這是無庸置疑的。中國政府致力于發展國內半導體制造業，十多年來，已經為該產業挹注超過1600億美元的資金，其中大部份用于內存新創公司。清華紫光集團(Tsinghua Unigroup)還自行宣布計劃投資超過500億美元給兩家大型晶圓廠，此外還有更多建設中的計劃或草案。

內存——特別是DRAM——在很大程度上仍然被認為是一種純粹的商品業務。盡管今天看來不再這么簡單，但當時普遍的看法認為，只要投入足夠資金，中國內存新創公司也可以輕松地進入高風險的內存芯片競賽，并立即開始與業界三大巨擘——韓國三星電子(Samsung Electronics)、海力士(SK Hynix)和美國的美光科技(Micron Technology)過招。

但是，在他們對“內存三巨頭”虎視眈眈之時，中國的內存企業——包括紫光集團及其子公司長江存儲科技(Yangtze River Storage Technology；YRST)和福建晉華集成電路公司(Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.；JHICC)等，可能會與這些對手相逢在另一個場所：法庭。

IC Insights總裁兼執行長Bill McClean最近在接受《EE Times》采訪時表示：“我不知道他們要如何在不碰觸三星、海力士和美光所擁有的專利下生產內存片。”

Bill McClean

美光在本月稍早即已發出了預警。12月4日，美光根據“保護營業秘密法”(Defend Trade Secrets Act)，以及“反勒索及受賄組織法”(Racketeer Influenced and Corrupt Organization Act)，在加州北部聯邦法庭提起民事訴訟申請，狀告臺灣代工廠聯華電子(UMC)和福建晉華盜竊其商業機密等不當行為。美光公司發言人證實了這一訴訟，并表示：“美光積極保護其全球智財權，并將利用所有可用的法律武器來解決一切盜用行為。”

雖然這個特殊案例讓McClean聯想到商業間諜，但他認為當福建晉華和其他中國公司開始銷售內存芯片時，才是事關重大的訴訟來臨之時。他說，一旦他們開始生產芯片，三星、海力士和美光將有機會對這些產品進行反向工程，尋找足以證明其專利受到侵犯的證據。

McClean說：“當中國企業開始進行生產時，將會有產品可進行分析。真正好玩的到時候才開始，律師們每天都會過得很充實。”

例如，此前有報導稱，長江存儲科技正在迅速開發3D NAND閃存，要知道這項時下最先進的內存技術正由三星公司主導并開發中。McClean不知道中國企業如何能在避開三星專利下做出3D NAND。他說：“我認為任何人都不可能在未獲得專利的情況下生產3D NAND。”

根據McClean的說法，三星、海力士和美光在專利侵權方面傾向于相互之間睜一只眼閉一只眼，理論上，由于它們都擁有如此龐大的專利庫，所以彼此之間的專利爭奪戰是沒有任何意義的。McClean說：“但是，如果一家新公司進入市場，他們將不會給予這樣的優待。”對于三星和海力士來說尤其如此，因為南韓政府認為這兩家公司的技術是國有資產。

McClean在幾年前就提到了類似的觀點，當時他說意法半導體(STMicroelectronics；ST)正考慮進入可程序設計邏輯市場。然而，經過一番研究后，意法半導體意識到賽靈思(Xilinx)和Altera在當時累計占有90%以上的市占率，擁有該領域所有重要的專利，沒有任何人能在不侵權的情況下進入市場。

這并不是說中國新貴內存企業沒法得到內存三巨頭的關注。事實上，McClean認為，今年三星的資本支出計劃相當積極，從去年的113億美元增加至260億美元，大幅提高了一倍，這就是企圖對中國企業先發制人的鐵證，其目標是進一步推進新技術引領潮流，讓中國企業更不能隨意跨入專利雷池。

三星的資本支出較過去幾年大幅成長 （來源：IC Insights）

最終，McClean認為，中國內存企業將不會比中國晶圓代工企業做得更好。中國最大的晶圓代工企業——中芯國際(TSMIC)，成立于2000年，如今在純晶圓代工廠中排名第四，2016年市占率約5%左右，相較于市場領導者——臺積電(TSMC)，其市占率為59%。

McClean說：“當中芯國際和中國晶圓代工廠商宏力半導體(Grace Semiconductor)初出茅廬時，他們就迅速占據了全球純晶圓代工約13%左右的占有率。但是，時至今日，中國晶圓代工企業累計不到8%的市占率。”臺積電的專利侵權訴訟對于中芯國際帶來很大的打擊，并因此成了中芯國際的小股東。

McClean說：“我認為中國內存企業將來會在市場上站穩腳跟，但其過程可能類似晶圓代工產業曾經發生的事情。”