臺灣DRAM相關廠商透露，三星、SK海力士陸續通知明年首季調漲DRAM售價，由于二大韓系廠全球DRAM份額總計近八成，在寡占優勢下，下游廠商只能接受漲價。

另有國內OEM大廠高層主管表示，近期拜訪韓系記憶體廠討論明年采購量，業者明示明年第一季DRAM合約價格續漲5～10％后，第二季恐將續漲5％以上，希望OEM廠提早備貨以免又面臨缺貨窘境。

第四季是傳統DRAM市場旺季，在供不應求下，價格出現漲幅。其中標準型DRAM模組合約價較上季漲7％，4GB DDR4模組均價來到30.5美元創下新高。至于智能型手機搭載行動式DRAM容量大增，帶動合約價較上季大漲10～20％，而缺貨嚴重的服務器DRAM合約價格也較上季調漲6～10％。

每年第一季度本是DRAM的傳統淡季，但由于蘋果iPhone X零組件拉貨動能延續到明年初，加上三星、華為、OPPO、vivo等手機廠商將在明年初的MWC大會上推出新款手機，導致行動式DRAM需求維持高檔。因此，業界對明年第一季DRAM價格續漲已有共識，以目前各業者協商出來的合約價來看，平均較今年第四季再漲5～10％。

國內OEM大廠高層主管透露，近期拜會韓系記憶體廠，針對明年供貨量、采購量、價格等均有深入協商。韓系業者已告知，由于明年DRAM不會有太多新增產能，第一季DRAM合約價調漲5～10％之后，第二季價格續漲機率很高，不排除再漲5％以上，希望OEM廠提早備貨。

由于需求太強勁，此波DRAM價格從去年下半年以來每季都調漲，加計下季持續漲價，報價連續七季走揚，堪稱DRAM史上時間最長的多頭行情。

業界人士分析，造成此波DRAM供不應求，除了來自人工智能、車用、云端服務器、物聯網、筆電和行動裝置等需求齊發，需求瞬間大增，但主要芯片廠多集中發展3D儲存型閃存（NAND Flash），壓縮DRAM產能增幅，在“需求大增、供給增加有限”下，市場供需嚴重失衡。

三星與SK海力士在明年淡季持續調漲售價，反應無意打破目前DRAM供不應求、獲利穩定的情況，也將藉由DRAM的獲利，作為未來在3D儲存型閃存（NAND Flash）發動價格戰的主要憑借，并消除外市場買盤觀察的預期心理。