三星平澤工廠是一棟兩層建筑，一樓和二樓每月wafer產能分別為10萬片和20萬片，二樓的投資規模將大于一樓。三星平澤廠一樓之所以比二樓的生產能力小，是因為它的一些空間被用于辦公室和自助餐廳。

二樓分為西區和東區，各自保證每個月10萬片wafer產能。二樓第一階段投資是西區，二期投資為東區。三星預計西區將按照每月7萬片3D NAND和3萬片DRAM的產能比例來配置生產設備，東區則按照每月10萬片DRAM產能來配置生產設備。

三星的平澤廠是自2015年破土動工，現已開始在平澤廠采用最先進的64層3D NAND技術生產NAND Flash，也曾在7月份稱計劃在2021年之前，總共投資30兆韓元（約合276億美元），用于平澤廠擴大生產制造能力。

三星平澤廠將成為韓國最大的單一工廠，若三星全面實現生產，將讓存儲市場供應過剩成為現實，價格行情也將由漲轉跌。

三星工廠相關人員表示：“我們已經拿到了預期的訂單，預計未來訂單會源源不斷地到來。”盡管三星電子還沒有訂購生產DRAM所需設備，但是很可能很快將采取行動。

不過，三星的某位代表也表示：“投資的速度也很重要。設備行業預測，2018年年底或2019年上半年半導體設備的投資將達到20萬臺。存儲產品的價格的走向將取決于三星的投資速度。如果三星根據市場需求調整投資速度，預計對存儲市場不會產生太大的影響。”

報道稱，三星的西安廠可能也會投資增產（應為 NAND Flash），料于 2018 年底或 2019 年啟動。

此外，ETNews也曾在11月初時報道，三星電子正在改裝韓國華城工廠16號線，希望能進一步擴大DRAM的生產，同時三星在韓國平澤的生產線也將打造新產品線。

當時報道指出，三星計劃在明年下半年之后，華城工廠將全力進入DRAM的生產，今年第三季全球DRAM產能為每月110萬組，如果三星的這兩條生產線全力生產，那將會提升DRAM的供給20%。

而就在上周，韓媒Digital Times報導，三星電子即將在華城廠區17產線附近的停車場空地增建1條新的EUV專用產線，最快2017年12月就會動工，預定2019年啟用,將利用初期10納米技術生產DRAM，開業界先河。

由此看來，三星可能希望在產能和技術上均領先競爭對手，以期進一步爭奪市場份額。