由于DRAM 廠近兩年來產能擴張幅度有限，加上制程轉換的難度，DRAM 供給成長明顯較往年放緩，配合下半年終端市場消費旺季，DRAM 合約價自去年中開啟漲價序幕。近期DRAM價格持續大漲已讓許多廠商吃不消，陸續調漲產品價格，消費者也抱怨連連。

但根據TrendForce 旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示，三星傳出在考慮提高競爭者進入門檻下，可能擴大DRAM產能，SK海力士和美光有望跟進擴產，此舉恐將改變DRAM供給緊俏格局。

三星將在平澤廠增設DRAM產線

傳三星電子(Samsung Electronics)正在考慮于平澤半導體廠二樓，移入DRAM生產設備。

韓媒朝鮮日報引述業界消息指出，三星新完工的平澤半導體廠一樓，目前已開始生產3D NAND Flash，至于工廠二樓，傳三星正考慮移入DRAM生產設備，展開DRAM擴產，如以晶圓投片量為基準，平均月產能可能高達10萬~12萬片左右。

稍早2017年5月，三星決定在華城17產線，進行高達3兆韓元(約合27億美元)的DRAM產線增設投資，這項計劃目前正在進行中。三星計劃利用華城17產線剩余空間，移入DRAM生產設備進行擴產，平均月產能約3萬片左右。

DRAMeXchange也指出，三星有意將其平澤廠二樓原定興建NAND的產線，部分轉往生產DRAM，并全數采用18nm制程，加上原有Line17還有部分空間可以擴產。預計三星此舉最多將2018年DRAM產出量提升80-100K，也代表三星的DRAM產能可能由2017年底的390K一口氣逼近至500K的水平，亦將帶動三星明年位元產出供給量由原本預估的18%成長上升至23%。

明年DRAM供需缺口或被彌平

DRAMeXchange 研究協理吳雅婷指出，以主流標準型記憶體模組(DDR4 4GB) 合約價為例，從去年中開始起漲，由當時的DDR4 4GB 13 美元均價拉升至今年第4 季合約價30.5 美元，報價連續6 個季度向上，合計漲幅超過130%，帶動相關DRAM 大廠獲利能力大幅提升。

截至目前為止，三星第2 季度DRAM 事業營業利益率來到59%，SK 海力士也有54% 的表現，美光達44%。展望第4 季，DRAM 合約價持續上漲，各家廠商的獲利能力可望繼續攀升。

正因DRAM產業已進入寡占格局，理論上廠商對于高獲利的運作模式是樂觀其成，過去一段時間以來，三星對擴產DRAM這件事，態度其實相當保守。

然而，在連續數季內存價格上升的帶動下，SK海力士、美光皆累積許多在手現金。

有了豐沛的資源，SK海力士將在年底進行18nm制程轉進，無錫二廠也將在明年興建，預計2019年產出；美光借著股價水漲船高之際宣布現金增資，代表未來在蓋新廠、擴張產能與制程升級上預做準備，此舉無疑激起三星的警戒心，使得三星開始思索DRAM擴產計劃。

三星可能采取的擴產動作，除了是應對供給吃緊狀況，最重要的是借助提高DRAM產出量，壓抑內存價格上漲幅度。

雖然短期內的高資本支出將帶來折舊費用的提升，并導致獲利能力下滑，但三星著眼的是長期的產業布局與保有其在DRAM市場的領先地位，以及與其他DRAM大廠維持1-2年以上的技術差距。

此外，明年堪稱中國內存發展的元年，三星透過壓低DRAM或是NAND的價格，將能提升中國競爭者的進入門檻，并使競爭對手虧損擴大、增加發展難度并減緩其開發速度。

韓國業界人士進一步指出，如果未來三星真的于平澤廠大舉擴產DRAM，那么SK海力士、美光等競爭對手，最后也只能跟著三星腳步投入擴產。

DRAMeXchange表示，從整體DRAM供給來看，2018年供給年成長率將來到22.5%，高于今年的19.5%，亦即明年DRAM供需缺口將可能被彌平，預期SK海力士與美光將加入軍備競賽以鞏固市占可能性高，為DRAM市場增添新的變量。

然而，DRAMeXchange認為，三星此舉將可能改變DRAM市場供給緊俏格局，只是修正目前競爭對手的超額利潤，降為較合理獲利結構；再者，隨著大廠將部分投資重心由NAND Flash轉往DRAM，將可望降低明年NAND Flash供過于求的情形，并進而減緩整體NAND Flash平均售價(average selling price)下滑的速度。

三星擴廠或許對2018年DRAM市場將帶來部分沖擊，但就整體內存產業的長期發展來看未必是負面消息。