中芯國際全力朝向攻克14納米風險生產邁進。根據最新內部14納米工藝良率數據顯示,其14納米SRAM已良率破零(SARM Yield break zero),且在短短三個月內顯著提升。電子設計模塊
中芯國際也表示,即將到來的第三季財報法人會議上,新任聯席CEO梁孟松也將親自對外說明,一解外界對中芯國際先進工藝制程進展的疑慮。
近日IC China會議揭幕,中芯董事長周子學親自到展位上督軍。中芯作為國內晶圓代工領頭羊,呈現了中芯國際在移動通訊、消費電子、物聯網、智能城市與家居全方位芯片制造平臺解決方案。不過由于經營團隊才剛加入新血,中芯國際高管在此屆大會上則一律顯得格外低調不對外發言。
據了解,中芯國際內部已經下了“死命令”必須全力加速朝14納米量產邁進。根據中芯之前的預估,2018年14納米要進入風險性量產階段。同時,目前中芯研發部門也加足馬力,在短短三個月內,其14納米SRAM就已從512K提升到128M量產良率破零(SARM Yield break zero),在良率速度提升上全速踩油門前進。
中芯日前宣布前臺積電、三星高管梁孟松加入成為聯席CEO,各界也對中芯國際跳脫28納米滯后,全力邁向14納米“彎道加速”投注較高的期待。畢竟以梁孟松的背景,成功帶領過臺積電、三星研發制造部門在此技術節點取得突破,沒有理由不把中芯也帶入這樣的技術實力境地。
但是除了擺脫技術滯后的局面,梁孟松也有更艱巨的任務就是要投入下一世代7納米工藝技術的研發。據悉,中芯國際投入7納米研發已多時,并與光刻機巨頭ASML展開接洽,未來很可能在上海建置一條國內首條7納米的EUV產線。從14納米到7納米,不僅是芯片的微縮,更巨大的挑戰就在于EUV完全不同于現有的濕式曝光機臺,需要更長生產良率與技術學習曲線。
中芯也正式公布,即將在第三季財報法說會上,由兩位聯席CEO同時對外主持說明。這除了是梁孟松加盟中芯后的“首秀”,也是他自離開臺積電、三星之后,第一次登上臺面的“處女秀”,他對中芯國際的未來研發布局與規劃推進等說明,都將對外界給予中芯的評價起到決定性的影響。