此次提前封頂的項目（一期）一號生產及動力廠房建筑面積達52.4萬㎡，預計將于2018年投入使用。項目（一期）達產后，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

國家存儲器基地項目一期規劃投資240億美元，占地面積1968畝，于2016年12月30日正式開工建設，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產廠房，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。

2016年3月，總投資約1600億元人民幣的國家存儲器基地在武漢啟動。四個月后，為該項目組建的長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）正式成立。

據報道，長江存儲的注冊資本分兩期出資。一期由國家集成電路產業投資基金、湖北國芯產業投資基金和武漢新芯股東湖北省科技投資集團共同出資，武漢新芯的基礎上建立長江存儲，武漢新芯成為長江存儲的全資子公司。二期將由紫光集團和國家集成電路產業投資基金共同出資。

長江存儲在2017年初引進紫光集團資金，長江存儲的股權結構變成紫光旗下的紫光國器持股達51%，紫光集團董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國到場參加封頂儀式。

紫光原本規劃旗下紫光國芯將收購長江存儲100%股權，后因內部評估長江存儲的投資規模十分龐大，目前處于前期的建設階段，短期內無法產生營收，認為現在收購長江存儲100%股權的條件不夠成熟，所以該計劃暫時喊停，但紫光強調長江存儲需要的人民幣386億元資金全數到位。

目前長江存儲與合肥長鑫、福建晉華是中國三大存儲芯片企業，據悉長江存儲現已研發出了國產32層堆棧的3D NAND Flash，預計2018年后量產。另有報道，高啟全曾表示長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，力爭把與三星等大廠的差距縮短在2年以內。

存儲器占整個半導體市場規模超20%，地位十分重要，而且存儲芯片是信息安全中的重要一環。目前存儲芯片市場主要由美日韓主導，是高度壟斷的寡頭市場格局。“受制于人”的被動局面，不僅讓我國企業承受著巨大的專利扼制之痛，而且也時刻威脅著國民經濟以及企業經營的安全。

如今中國存儲芯片已經上升到國家戰略高度，長江存儲肩負著振興國產存儲器的重擔，但目前存儲芯片產業壟斷高、投資大、壁壘高，長江存儲今后要走的是一條充滿挑戰之路。