從需求面來觀察，雖然一些細分市場正在成長，但并未出現殺手級的應用或是特別繁榮的細分市場。因此，問題應該就出在供應面。

據美光(Micron)表示，2017年DRAM供給位預計成長15-20%，可說是近20年來最低的位成長率(bit growth)。較低的位成長率，主要源于DRAM微縮限制。市場上有好一段時間都沒有任何有關DRAM微縮的消息了。當供給位成長低于45%時，這就是一個賣方的市場了。因此，DRAM的寡頭壟斷、低位成長率，以及制造擴張遲緩，導致長期的供應吃緊。最終，可能只是DRAM的價格持續增加，而供應面卻不會有任何改善。NAND市場競爭激烈。基于3D NAND將大幅提高生產力的市場預期，所有的NAND廠商都投入了數十億美元于3D NAND制造。因此，供應過剩預計將持續一段時間。然而，這種期待只是一種假象。3D NAND的制造比先前所想象的要困難得多。目前，幾家NAND供貨商都得使勁地推出3D NAND。

許多分析師預計，大約在2018年底，當64層和96層3D NAND閃存的制造趨于成熟時，市場供應吃緊的情況將會緩解。因此，明年將會有足夠的NAND供應嗎？如圖所示，平面NAND的橫向微縮(即摩爾定律)以2的N次冪方式呈指數級增加位單元。相對地，3D NAND的單元層數(即垂直微縮)則線性增加位單元。目前，根據摩爾定律，平面NAND符合位單元的指數級需求成長。然而，平面NAND面對微縮限制，3D NAND僅以線性位成長率，將難以達到市場的需求。64層3D NAND最終將達到與平面NAND平價。對于雙倍和四倍的內存容量，3D NAND應該分別有128層和256層。考慮到長期累積的產量損失、制造困難和低晶圓產出效率，超過64層的內存容量擴展對于3D NAND來說是一大挑戰。如果3D NAND在第1層達到與平面NAND平價，那么垂直擴展記體容量就會更容易多了。

如同所討論的，內存價格較高不再只是因為供需失衡。從現在開始，我們很難看到內存價格降下來，因為內存價格如此之高，主要源于內存組件的微縮限制。很諷刺地，內存供貨商卻以這種內存微縮的限制來賺大錢。從2017年上半年的前五大半導體供貨商排名來看，其中有三家就是內存供貨商。例如，海力士(SK Hynix)和Micro極其仰賴于DRAM，因為這兩家公司的營收分別有75%和65%都來自DRAM市場。目前，買家掌控了內存價格，并將內存產品視為商品。如今正是內存供貨商的黃金時代，高昂的內存價格將成為買家的負擔。沒錯，由于內存微縮的限制，內存將成為賣方市場。我們如何找到可解決高內存價格的解決方案呢？

在2016和2017年，如ITRS和IRDS等技術開發藍圖強烈建議為連續的晶體管微縮采用全包覆式(GAA)晶體管與單片3D (M3D) IC，從而降低制造成本。因此，客戶應該主動尋求利用‘GAA + M3D’的超低成本內存組件。否則，客戶將會為內存組件付出更多的費用，而如此高的內存價格也將會為大部份電子設備和系統帶來問題。