三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現有芯片的高密度固態硬盤(SSD)。該公司并表示，去年發表的Z-NAND產品也開始出樣，據稱這款產品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內存的低延遲能力。

三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數據速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4Tb容量。三星閃存產品與技術執行副裁Kye Hyun Kyung介紹，該芯片將在內存單元堆棧底部的新金屬接合層嵌入周邊電路，從而達到新的密度水平。

三星在日前舉行的閃存高峰會(Flash Memory Summit)上發布這項消息，其中還有幾家競對手則描述采用96層與每單元4bit的芯片。三星目前的512Gbit芯片采用9個垂直信道與64層，較前一代產品所采用的4信道與48層大幅提升。

Kyung表示，3D NAND可支持每單元4bit，已能滿足業界大部份的非揮發性內存(NVM)需求。不過，他表示，三星已經從2002年起致力于開發具有次微米級延遲的磁性與相變內存(PCM)，最終將有助于縮短在NAND與DRAM之間的差距。

同時，三星也正為NetApp與Datera等用戶出樣采用其Z-NAND芯片的SSD產品；Z-NAND可支持低至15微秒的延遲。該芯片采用專為延遲優化的感測放大器，能以高達800Mbits/s的數據速率執行，并鎖定用于執行分析與快取應用程序的數據中心。

三星目前正致力于開發第二代Z-NAND，支持每單元2bits的容量，其目的是為了使產品更加經濟實惠，而其讀取延遲預計將僅有些微提升。

Z-NAND產品可望挑戰英特爾在今年3月發布的Optane SSD——采用3DXP芯片。市場研究公司Objective Analysis分析師Jim Handy表示，從該SSD采用的PCI Express匯排流目前所能實現的延遲來看，這款芯片最大的機會預計將來自于明年時搭載更快速內存總線的板卡應用。

除了芯片開發藍圖之外，三星還發布一系列開發中的新組件與SSD計劃。

它將以每單元4bit封裝高達32個1-Tbit芯片的線鍵堆棧至2TB或4TB組件中。而這些堆棧將再被封裝至容量高達128TB的2.5寸SSD中。

此外，三星正與其他公司合作，為所謂的M.3尺寸標準化至30.5 x 110.0 x 4.38 mm的尺寸。它將會比現在的M.2服務器卡更寬，以便容納16TB的容量，而在明年采用V-NAND芯片后可望支持高達5億次IOPS的能力。三星并展示了一款參考設計，可用于1U儲存服務器中提供576TB容量和1000萬IOPS的效能。三星的M.3原型卡底部與目前的M.2卡比較

同時，三星也在開發一種軟件標準，使儲存程序不必再轉換成廣泛使用的區塊儲存。所謂的Key Value SSD則以地址存取可變長度數據。

三星已經向NVMe和SNIA等產業組織提出技術建議，共同致力于使該途徑成為開放標準。如果獲得采用的話，三星也計劃為此途徑推出SDK和參考范例。

不過，三星并未針對其規格、基礎制程技術或出貨時程透露任何細節。