三星電子(Samsung Electronics)日前更新其代工技術藍圖，詳細介紹該公司的第二代FD-SOI平臺進展、多種塊材硅(bulk silicon) FinFET工藝微縮至5nm，以及計劃在2020年推出4nm“后FinFET”結構工藝。

三星在上周宣布拆分其代工業務成為獨立單位，稱為Samsung Foundry，同時重申先前發布的計劃——在2018年7nm節點時將極紫外光(EUV)微影技術投入生產。

三星代工營銷資深總監Kelvin Low表示：“我們極其積極地經營我們的開發藍圖，不只是作規劃，而且也宣布未來三到四年內要做的事。”

在該公司于加州舉行的年度代工技術論壇上，三星發布的重大技術突破是其專有的下一代產品架構，稱為多橋通道場效晶體管(MBCFET)。據稱這種結構是三星自行開發的全包覆式閘極場效晶體管(GAAFET)專有技術，采用納米薄片組件，克服FinFET架構的實體微縮與性能限制。

三星的開發藍圖計劃在2020年時以4nm低功耗(LPP)工藝投產MBCFET技術。

而從現在到2020年，三星預計今年將投產8nm LPP工藝，明年推出搭配EUV微影的7nm LPP工藝，而在2019年計劃推出5nm和6nm LPP工藝。

EUV長久以來承諾可成功實現193nm浸潤式微影技術，如今終于發展到即將投入生產之際。三星主要的競爭手——臺積電(TSMC)與Globalfoundries，均已宣布在2019年將EUV用于生產的計劃了。

三星已在工藝開發中展現250W EUV光源生產的目標。根據Low，透過EUV微影，可望達到每天1,500萬片晶圓的產能。三星目前已能達到每日1,000片晶圓產能，并且有信心很快就能實現1,500萬片晶圓產能的目標。三星半導體部門總裁Kinam Kim發布該公司的代工工藝藍圖

“我們有信心能準備好在2018年將EUV投入生產，”Low說：“這已經不再只是概念性的開發藍圖。”

Low表示，相較于其競爭對手，三星將10nm節點視為“長前置期節點”(long-lead node)，即在相當長的一段時間內可為客戶提供先進設計所要求的性能和功耗。

“只要功耗、性能和生產規模達到預期的目標，我們認為這就會是一個非常有生產力的節點，”Low說。

三星還詳細介紹了計劃在2019年投入生產的18nm FD-SOI工藝技術。預計在提供第二代FD-SOI平臺之前，該公司將藉由整合射頻(RF)與嵌入式MRAM，逐步擴展現有的28nm

FD-SOI工藝至更廣泛的平臺。相較于上一代平臺，三星預計其第二代FD-SOI平臺功耗更低40%、性能和尺寸優勢也提升了20%。