晶圓代工漲價根據平臺調整
“原材料在漲價，例如硅片、掩膜等漲價，因此我們也會適當地跟進漲價，當然這個漲幅有高有低，會根據平臺和市場需求調整。” 上海華力微電子有限公司副總裁舒奇日前接受國際電子商情采訪時表示。本刊此前報道，受硅晶圓漲價影響，一些熱門物料如MOSFET、NOR FLASH出現了漲價行情。從應用端看，消費類、物聯網需求的放量也帶動了8寸、12寸晶圓產線的產能滿載。據了解，通常填線平臺此前生產價格較低的大眾類產品，如今已調整成市場價格。據悉，華力微一廠12寸55nm、40nm目前產能均呈飽滿態勢，值得關注的是隨著二廠建設和28nm研發進程的推進，將帶動一批國內IC設計客戶逐漸從55nm遷移至28nm。
華力微電子目前的產線主要是邏輯、NOR FLASH芯片為主，主力55nm和40nm工藝，55nm邏輯芯片占業務多數，據透露較大型客戶每月出貨達到幾千片。NOR FLASH方面沒有提供更多產能。前不久，華力微與Cypress基于華力55納米低功耗工藝和Cypress SONOS知識產權開發的低功耗嵌入式閃存產品開始量產，主要定位于MCU和物聯網等低功耗應用。2016年開始試量產，到2017年下半年會有更多客戶采用該技術及IP進行完全量產。目前國內有三家客戶，主要應用在卡類和MCU。
二廠進展順利，主力28nm，無懼建廠熱潮競爭
華力微二廠已經在建設當中，據悉2017年底廠房封頂，18年上半年機臺搬入，18年下半年28nm部分量產，產能預計4萬片每月。現今，一廠的產能為3.5萬片。此前，華力微宣布與聯發科合作的28納米移動通信芯片已順利流片，但大規模量產還需將良率進一步提高。
目前，根據統計，2016年中芯國際28納米晶圓產能全球占比不足1%，中芯國際希望2017年底28納米季度營收占比接近10%。廈門聯芯將盡快導入 28 納米制程，預計第二季度進入量產。在28納米制程上晶圓廠將展開競爭，對此，舒總表示并不擔心。原因是28nm作為一個長生命周期的節點將面對眾多客戶的需求，只要公司戰略布局合理,不擔心搶食市場的狀況出現。
從國內客戶對工藝制程的需求來看，舒總表示，現在55nm客戶正在嘗試向28nm遷移，90nm、0.11μm，、0.13μm，客戶則將逐漸遷移至55nm、40nm。
上海華力微電子有限公司副總裁舒奇
華力微的55nm制程不僅供應給現有國外客戶，據稱，一批國內客戶需求也相當旺盛，舒奇表示目前的狀況即便壓縮大客戶的供應，也不能全部滿足國內客戶對55nm邏輯產品的需求。可以看到國內客戶在邏輯工藝需求方面與日俱增。另一塊業務，NOR FLASH市場需求量也很大，倘若有產能有望去到每月幾萬片。這也是我們需要擴充產能的幾點原因。 中國各地已經開始的晶圓代工廠建廠熱潮，在業界引發許多討論以及擔憂。舒奇認為，國家大力推動集成電路產業發展，對存儲產業重視有加，中國能夠自主建造存儲芯片和其他芯片，是一件好事。同時，建設晶圓代工廠也是一項耗費資金的工程，真正落地并非容易。華力微二廠的投入達到387億元，這塊資金有國家的投入以及大基金的支持。是否會存在產能過剩的情況？舒奇表示，按目前來說看不到這樣的情況，倘若全部產能規劃運轉，競爭將相當激烈。但華力微歡迎良性競爭格局，有競爭才能促進發展。
FD-SOI方面，華力微拿到國家專項研發基金，已經投入研發，正在準備當中。舒奇表示，如若FD-SOI市場反應良好，即可啟動產能。
ULP特色平臺，物聯網市場應用廣
華力微強調平臺多樣式，加強客戶服務，建設標準平臺的同時提供客制化平臺。據介紹，華力微現有工藝平臺包括55nm，40nm邏輯芯片，55nm CIS，55nmeFlash，65nm nor Flash，以及55nm ULP平臺等等。
55nm ULP平臺是一款超低功耗平臺，針對物聯網、移動應用所需。舒奇表示，物聯網應用的關鍵需求是超低功耗，從器件、到IP、到SoC芯片，典型值是工作功耗小于10mW；待機功耗小于1uW；工作電壓遠低于正常邏輯平臺的工作電壓(約0.xV)；SRAM單元待機漏電在1pA級別。
正是根據這些功耗和漏電等技術規格要求，華力定制開發出55納米超低功耗工藝平臺，工藝特點沿用了通用型55納米低功耗工藝平臺的設計規格，優化了平臺工藝的漏電性能，與以前的通用型55納米低功耗工藝平臺比較電壓降低了30%，功耗降低了20%。提供了eHVT和eLVT核心器件，支持核心工作電壓最低調降至0.9V，可以滿足廣闊的物聯網應用需求。
他指出，該工藝技術已成功量產，未來將結合射頻工藝以及嵌入式閃存工藝，提供客戶完整的穿戴式芯片方案。“我們相信這類超低功耗的市場應用越來越大，也對芯片代工提出更高要求。未來ULP平臺可遷移至40nm、28nm制程工藝。”
邏輯芯片一直具有眾多應用市場，涵蓋手機、射頻、物聯網，例如功能手機芯片現在仍然擁有巨大的出貨量，原因在于物聯網等新興市場的開拓。未來，華力微在55nm、40nm以及28nm，甚至更多產線和更先進制程的建設研發上都將穩步推進。
