12寸晶圓老廠滿載,內存缺貨到明年

關于市場關心存儲器產業的發展情況,黃崇仁引用美光CEO杜肯的說法,這一波存儲器的熱度將會延續到今年底,如果沒有新廠蓋出來的話,明年會缺貨更嚴重。

黃崇仁表示,臺灣P1、P2、P3廠的產能全部滿載,市場需求強勁,現在還把客人趕走,因為產能實在不夠用,而且以現在的設備來生產,是非常有競爭力,未來會考慮慢慢擴產,不過大陸合晶晶合廠不會生產存儲器。

力晶大舉投資的大陸12寸晶合廠正在趕工當中,預計最快6月落成投產,初期月產能規劃維持2萬片不變,先以導入90納米,并生產面板驅動芯片、傳感等為主,據悉已經有不少廠商開始搶先下單,力晶臺灣廠也希望產能全滿,所以也會把部分產能轉移到晶合廠。

力晶臺灣P3產能由存儲器模組大廠金士頓全吃下,以生產DRAM為主,今年將轉進2X納米制程,月產能維持3萬片。至于P1與P2廠生產面板驅動芯片、電源管理芯片、CMOS傳感器等等,合計月產能約6~7萬片。

黃崇仁:中國要發展內存產業不容易

談到中國要發展內存產業,黃崇仁表示沒這么容易。除了無法取得技術授權之外,近來挖角的動作引起美方高度關注。據悉,中國這次大規模的挖角引起美國與臺灣政府高度關注,美國在臺協會(AIT)也開始介入調查。

中國大舉挖角臺灣內存產業人才,尤其在美光完成100%收購華亞科之后,傳出有上百人集體投奔中國內存廠商。對此,美光決定將提告因應,全力防堵中國竊取商業機密。

黃崇仁認為,DRAM(動態隨機存取內存)產業要發展變得非常困難,現在全球DRAM廠商都是老設備、成本低,現在要蓋新廠,成本是2倍多,后面的投資越來越高,成本沒有辦法降低,20納米已經是瓶頸了,并不會持續微縮得到優勢,且5年來沒有DRAM新廠興建,未來更沒辦法與老廠競爭。

黃崇仁也表示,中國想要做DRAM,看起來沒有這么理想,除非美光技術授權,但現在看起來不可能,韓國廠商更不可能,而且中國政府不可能采用補貼的措施去扶植DRAM產業,絕對不會發生生產1顆、補貼1顆的事情。