三星晶圓代工集團(tuán)營(yíng)銷(xiāo)和業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁洪浩表示：“我們正在進(jìn)入批量生產(chǎn)，2016年我們將迎來(lái)10nm節(jié)點(diǎn)的第一批代工業(yè)務(wù)。”

三星表示，新型10LPE工藝使用先進(jìn)的3D晶體管結(jié)構(gòu)，與14納米工藝相比，對(duì)工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)進(jìn)行進(jìn)一步改進(jìn)，面積效率增加30%，性能提高27%，功耗降低40%。此外，三星還在聲明中補(bǔ)充，首款使用10LPE工藝產(chǎn)品將于明年初上市。隨后，明年年底三星將推出10LPP工藝。

韓國(guó)《電子時(shí)報(bào)》本月報(bào)道稱(chēng)，三星將成為高通驍龍830高端處理器的獨(dú)家代工商，這些芯片都將使用10納米工藝生產(chǎn)，而有望于明年初發(fā)布的新款Galaxy S手機(jī)將有半數(shù)使用這種芯片。

實(shí)際上，去年11月底，三星就在一次展會(huì)上率先曝光自家研發(fā)的10nm工藝晶圓，這也是當(dāng)時(shí)產(chǎn)業(yè)界首次秀出10nm工藝wafer。根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)三星電子將在2016年晶圓代工廠營(yíng)收中排名第五。

三星電子負(fù)責(zé)人洪浩還指出，未來(lái)將跳過(guò)與對(duì)手TSMC和Globalfoundries計(jì)劃的浸沒(méi)光刻技術(shù)的7nm節(jié)點(diǎn)，目標(biāo)是在2018年年低利用EUV光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)7nm工藝量產(chǎn)。

摩爾定律代言人英特爾曾表示，自家的10nm工藝具有54nm柵極間距，能夠比任何競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更密集地封裝晶體管。分析師認(rèn)為，不能和三星、臺(tái)積電的10納米相提并論。

已獲得iPhone 8大部分芯片訂單的臺(tái)積電則認(rèn)為，10nm芯片正在有序進(jìn)行明年初量產(chǎn)在即，10nm只是一個(gè)過(guò)渡的工藝節(jié)點(diǎn)，真正的挑戰(zhàn)在于7納米工藝。臺(tái)積電工藝圖顯示，他們將在2017年底率先進(jìn)行量產(chǎn)工作。

另一家晶圓代工廠商Globalfoundries早在9月就宣布將跳過(guò)10nm節(jié)點(diǎn)，計(jì)劃在2018年底量產(chǎn)7納米工藝，目前重點(diǎn)照顧FD-SOI的生態(tài)培養(yǎng)和建設(shè)。

中國(guó)代工廠商中芯國(guó)際日前投建14納米大尺寸晶圓廠房，2015年與高通和IMEC合作研發(fā)14納米工藝，預(yù)計(jì)2018年進(jìn)行量產(chǎn)。