“從今年第二季度開始，NAND Flash開始漲價，整個市場NAND Flash供應吃緊，導致與NAND Flash相關的產品如eMMC、SSD以及高容量的eMCP漲聲一片。平均漲幅達到了20%以上。” 深圳市江波龍電子有限公司行業客戶部副總裁王偉民在接受國際電子商情采訪時表示，目前已經接近Q3的尾巴，但還沒有看到緩解的趨勢，依然維持在比較緊繃的狀態，而Q4又是傳統的旺季，預計到Q4還是一個比較緊張的狀態。

此前亦有消息稱，隨著旺季即將到來， Flash原廠對市場供應的Wafer數量在減少且價格提高了15%。另有業者指出，美國品牌64Gb MLC規格NAND Flash現貨價已漲到2.8～2.9美元，128Gb MLC規格NAND Flash現貨價亦漲到3.8美元以上，5月以來平均漲幅介于8～14%。

Nand Flash缺貨為哪般？將加劇下游市場洗牌？

在業界看來，此輪NAND Flash的缺貨主要在于兩方面的原因：一方面是上游芯片廠持續將產能移轉生產3D NAND，導致2D架構NAND Flash產出量下滑；另一方面是，移動智能設備和網絡數據中心、服務器存儲需求持續快速增長，尤其是智能型手機/平板搭載eMMC和客戶端/服務器用SSD需求翻倍增加，持續消耗大量NAND Flash產能。

王偉民告訴記者，上游的NAND Flash廠商對3D制程轉換預期比較高，今年最大的投資在于將產能移轉至3D NAND，除了三星，包括東芝、SK海力士、美光、SanDisk以及Intel等業者都在推進3D NAND。但在實際的轉換過程中并不是很順利，良率不高，除了三星良率穩定提升外，其它廠商3D NAND的產出仍然有限。至于2D NAND，由于產線已轉到3D NAND，2D NAND的產線被壓縮，受到3D NAND產能排擠的影響，市場供應量持續減少中。而另一方面，OEM客戶對新制程的導入需要時間，并沒有那么快，比如手機類至少需要3個月，PC類可能需要超過6個月的導入時間。這導致很多項目會用回2D NAND，導致2D NAND的產品缺口較大。

王偉民進一步稱，從需求角度看，SSD今年的需求上升比較快，因為價格已經到了一個比較低的水位，120G-128G SSD價格區間在199-299元；而最受歡迎的240G-256G SSD價格區間在299-499元。而此前，299元只能買到120G 容量，如今卻能買到240G的容量，市場已經到了一個爆發點。他直言，目前PC端SSD的采用已經突破了30%，而去年不到25%，預計今年筆記本電腦市場對SSD的采用率會超過50%。另外，手機市場的需求也越來越旺盛，而且對內存容量需求也不斷走高。他指出，隨著手機攝像頭像素的不斷提升，對大容量eMMC的需求增長也非常快。“目前入門級手機搭載的內存已經到16G，國內很多手機如小米、魅族、樂視、OPPO、VIVO、華為等采用的閃存芯片已經以32G、64G為主了，高端一點的達到128G，蘋果新一代iPhone甚至達到了256G，這推動了大容量NAND Flash的需求。”

深圳佰維存儲科技有限公司銷售經理葉士剛也表示，今年NAND Flash缺貨的主要原因，一是3D Nandflash制程的轉換；二是手機出貨量沖的很高，尤其是在印度和非洲市場的銷量非常好；三是今年機頂盒在國內市場的增長很快。

至于此輪缺貨是否存在少數企業投機囤貨的現象，王偉民稱不排除會有這樣的情況，但即便有也是一個短期的行為。一是今年的缺貨時間較長，從Q2陸續缺貨到現在，很少有人可以囤到足夠的貨；二是從往年的情況來看，NAND Flash閃存、DRAM的價格波動較大，漲價很少會持續超過3個月。王偉民指出，一個企業靠囤貨去獲取利益，這并不是一個可以良好發展的模式，既會傷害到客戶，也不利于企業長久發展。當缺貨發生時，關鍵是要順應客戶的需求去找平衡點。

隨著Flash原廠對市場供應的Wafer數量減少， NAND Flash價格也一直上漲。“不同的容量，漲價幅度不同，有些漲價超過20%，有些超過了30%，平均來講，漲價幅度在20%以上。大容量漲價幅度相對小一點，小容量漲價較多。”王偉民稱，實際上在今年年初，晶圓廠處于供過于求的狀態，面臨著成本壓力和獲利的問題。不過，隨著缺貨的發生，目前來看，他們開始獲利。這才是一個比較良性的生意模式。

目前，主芯片、液晶屏、存儲芯片這三大件都處于緊缺狀態。王偉民直言，目前屏缺貨最為嚴重，其生產周期，尤其是液晶玻璃的生產周期需要一定的時間，產能提升應該沒有這么快。MTK的主芯片已經缺了一陣子，據說9月份會有改善，目前可能比之前有所緩解，但看起來還是比較緊張。這幾大件的缺貨已經讓很多生產廠商處于保守階段，不敢輕易接單。王偉民認為，對生產廠商來講，隨著缺貨的持續發酵，資源會流到一些核心的重要客戶上，從而加劇市場洗牌。

此輪缺貨何時休？

值得注意的是，目前已處于Q3，傳統的消費類產品的旺季已經到來。傳統旺季一般從8、9月份開始，一直延續到第二年1月，但今年7月份訂單就開始增長。另外，蘋果新近推出的iPhone 7提高了NAND Flash的搭載量，同時非蘋果陣營下半年仍有許多新機上市，加上SSD銷量強勁。如是來看，NAND Flash市場供給吃緊情況仍將持續。但問題是，何時才能緩解呢？

“目前已經接近Q3的尾巴，但還沒有看到緩解的狀態，依然維持在比較緊繃的狀態，而Q4又是傳統的旺季，預計到Q4還是一個比較緊張的狀態。甚至有人預估到明年Q1也無法緩解。”王偉民認為，蘋果iPhone7 銷售的好與不好，也會成為影響整個市場供求關系的關鍵，因為iPhone7若熱賣，必然導致Memory供應商砍掉其它的供應。他進一步分析稱，iPhone7 采用的內存有32G/128G/256G三個版本，從整體市場來看，蘋果對Memory的消耗量占了全球NAND Flash存儲消耗量的近3成。另外，Android手機一直在成長，消耗的Memory也占近3成。如是，iPhone7與其他品牌智能手機新品上市后的銷售情況必然會影響NAND Flash的供求關系。

葉士剛也表示，此輪NAND Flash缺貨預計會持續到年底。“缺貨不可能一直這樣持續，各大各大NAND Flash原廠都在推進3D NAND Flash制程，而且投入已有一年多的時間。盡管目前3D NAND Flash的價格比較貴，市場還沒推開，但估計到今年底明年初會逐漸向市場供應。” 他說，3D NAND FLASH不僅能夠增加容量，而且讀寫速度快，耗電量更低，還可以將成本控制在較低水平。3D技術不僅使產品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。市場導入會有一個過程。

未來內存市場將如何走？

目前，手機市場是對存儲的消耗最大，并持續往高速、高容量方向發展。對于Nand Flash相關產品未來的市場發展走勢，王偉民認為主要有以下幾大方向：

一是，手機端的eMMC在往高速、大容量方向走，SSD在往小封裝、小尺寸方向發展，兩者正在慢慢在融合。市場上有廠商，包括江波龍都有推出BGA的SSD，就是芯片大小的SSD產品，這是一個比較典型的融合，未來可能會推PCI-E接口的 BGA SSD。“在新一代iPhone上，有采用NVME PCIe SSD存儲系統，其實PCIe存儲系統之前是用在電腦上的，目標就是追求高速、高容量和更大的存儲介質。”王偉民認為，未來，不管什么類型的存儲介質，eMMC也好，SSD也罷，概念不會像原來那樣界定清晰，可能都會被采用，或者可能就是一個NVME接口標準的存儲設備。比如平板電腦，可能用SSD，也用eMMC，高端一點的產品用SSD，低端的用eMMC，只是針對的用戶群不一樣。

二是，手機端有推進所謂的UFS的產品，速度已經達到了固態硬盤的速度。目前一些旗艦機型有搭載，明年一些中端機型也會搭載UFS產品。

目前，在一些旗艦手機里面，已經采用UFS產品，如三星 Galaxy S7，小米5，魅族MX6、樂Max 2、一加手機3等采用了UFS2.0閃存。UFS 2.0是新一代閃存存儲標準，是eMMC的下一代產品。眾所周知，在手機興起的這幾年中，手機的閃傳規格有了很大的提高，eMMC規格的標準從eMMC 4.3標準逐步發展到eMMC 5.1標準，再到今天的UFS 2.0閃傳標準，實際上都是在進步和提升，UFS 2.0閃傳標準有著比eMMC 5.1更快的讀取性能。

據了解，eMMC 4.4的讀取速度大約為104MB/s、eMMC 4.5則為200MB/s，性能在當時是十分優秀的；三星2013年7月29日開始量產的行業首款eMMC 5.0存儲產品，其讀取速度為400MB/s，但是因為使用的是8位并行界面，因此性能潛力已經基本到達瓶頸，以eMMC 5.1規范來說，其理論帶寬為600MB/s左右，性能的大提升基本是不可能的了。而UFS 2.0閃存讀寫速度可以高達每秒1400MB，不僅比eMMC有更巨大的優勢，而且它甚至能夠讓電腦上使用的SSD也相形見絀。

王偉民透露，江波龍今年底明年初會推出UFS產品。“我們的UFS產品的樣品已做過展示，會在今年底明年初量產。而且，我們計劃把3D NAND Flash產品整合進UFS產品推向市場。”

另外，在9月初江波龍正式推出了基于3D TLC NAND Flash的SSD。“明年，我們也會把3D TLC NAND Flash導入到eMMC和UFS這類嵌入式產品里面。”王偉民稱，從DRAM內存的方向來看，PC已經往DDR5方向走了，或者HBM（High Bandwidth Memory）這種寬頻的DRAM，不過，目前的主力還是DDR4，DDR5還沒有大量產出。從手機市場來看，目前的主力還是DDR3，但旗艦機型已經到DDR4了，明年中高端手機搭載DDR4的比例會越來越高。

三是，容量、速度是未來手機對存儲介質比較關注的重要因素，因為差異化是手機追求的方向，這種差異化可能是屏的差異，如2K/4K屏，可能是攝像頭、大的存儲等方面的差異。王偉民稱，到今年下半年可能不少旗艦級手機機會支持256G的大容量。今年，32G、64G是主流容量，明年64G可能還是主流容量。明年3D NAND Flash產品會逐漸上市，其單顆芯片容量最低32G。不過，低容量的Nandflsh還是會持續增長，對64G的需求也會繼續增加。

四是，對存儲的需求量增大，使得大家需求更多的存儲空間，手機可能回歸重新支持存儲卡擴展。“目前，很多智能手機都可以支持存儲卡的擴展，如三星的note7，紅米的note 4。”王偉民說，實際上，在智能手機發展初期，內存在2G、4G存儲的時候，存儲卡是一個很重要配置，但隨著存儲容量的增大，最近一兩年手機存儲陸續以內置式為主了，不額外提供存儲空間。但今年來看，又陸續有手機回歸到支持存儲卡擴展，而且其本身的內存容量達到了32G。