隨著中國最面進入工業化革命，國家大幅度提高對可再生能源、電動汽車、電力和能源管理的投資額度，加上市場對電子產品的需求有增無減，令中國成為對半導體需求最高的國家，功率器件市場無疑也是持續走高。

2016年，中國功率器件市場規模繼續保持較快速度發展。從應用角度來看，在“互聯網+”和“中國制造2025”兩大戰略推動下，云計算、物聯網、大數據的發展將進一步推動消費電子和計算機領域的功率器件市場快速增長。高端裝備制造、智能電網等基礎設施建設及智能制造的發展將持續推動工業控制用功率器件特別是高壓功率器件市場增長。中國汽車產銷量保持全球領先，新能源汽車及其充電系統的快速發展則將成為汽車電子功率器件新的增長點。而隨著4G網絡的普及，2016年網絡通信設備用功率器件增速將有所放緩。隨著我國國產高壓IGBT產品的突破，高壓IGBT產品的平均價格將有所回落。

SiC器件填補功率器件的空缺并開拓全新應用

德國總理默克爾于6月12日對中國進行為期三天的正式訪問。期間，中德雙方表示當前正積極推進“中國制造2025”同德國“工業4.0”對接，并進一步推動中德兩國在智能制造合作上邁出實質步伐。英飛凌作為行業的領跑者以及德國工業4.0的創始成員之一，一直以來深諳“中國制造”的新機遇，始終憑借德國先進的技術和解決方案助力于“中國制造2025”。“功率半導體在整個電能供應鏈中扮演重要角色，20多年來，英飛凌一直走在開發SiC解決方案的最前列，致力于滿足用戶對節能、縮減尺寸、系統集成和提高可靠性的需求。” 英飛凌工業功率控制事業部負責人于代輝表示，“英飛凌也再次推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，并進一步針對太陽能等可再生能源、軌道交通、輸配電等智能制造應用領域持續發力。”

對于SiC市場前景，英飛凌工業功率控制事業部總監馬國偉強調：“英飛凌推出SiC更多的是看中了長遠的發展，我們不在乎半年、一年能馬上有一個數字，或者是壓多少庫存。我們希望現在做三年以后的產品路線圖的時候，能夠考慮到SiC的一些產品特性，對長期的規劃的產品發展有所幫助，在這方面，我認為也是中國企業的長期規劃。”

20160812-IGB-1圖：SiC器件填補功率器件的空缺并開拓全新的應用

馬國偉指出，SiC開關用于1kW - 500kW（@10kHz - MHz)，是工業功率應用的一大主要創新，新技術能夠補充硅技術，并打開目前硅技術無法滿足需求的新應用領域，產品的堅固性和以系統為導向的產品制定方式將是關鍵成功因素。“而英飛凌的SiC技術將能填補現有應用及開拓新應用，以系統成本及產品生命周期的節省來補償SiC器件的高成本。 SiC 未來的成本也必將下降，使技術普及到傳統應用。”他認為，SiC的應用路徑將是從高端應用到低成本應用，最后普及到主流應用，而英飛凌的SiC器件應用從太陽能逆變器開始 , 然后往UPS、儲能及充電器擴展。

此外，英飛凌以8.5億美元收購了Cree旗下Wolfspeed功率和射頻業務部，包括相關的功率和射頻功率器件碳化硅晶圓襯底業務，此收購將進一步增強英飛凌在電動交通、可再生能源以及與物聯網相關的新一代蜂窩基礎設施等增長型市場上作為功率和射頻功率解決方案供應商的領先地位。

SiC成為主流前，IGBT和IPM市場并重

對于功率器件市場的另一巨頭三菱電機，其策略是IGBT和IPM市場并重，力保市場優勢地位。三菱電機的功率半導體模塊（包括其在美國合資企業Powerex）2014年和2015年的銷售額大約在4.3兆日元至4.4兆日元，約占全球總銷量的23%，位居功率模塊市場首位。“雖然2016年整體經濟環境不佳，預計銷售額會有所下降。但是，由于中國市場龐大，并且根據國家相應的十三五發展規劃，中國將從制造大國邁向制造強國；因此，三菱電機十分重視拓展本地市場，同時為中國經濟的結構性調整做貢獻。” 三菱電機半導體首席技術官Gourab Majumdar表示，“三菱電機半導體將致力于數控機床、機器人、軌道交通、變頻家電、新能源和電動汽車等領域，為市場提供更高可靠性、更優性價比的產品。”

去年中國變頻器市場的萎縮，對IGBT的需求造成不小的影響，然而智能電網、風電、光伏發電、軌道交通以及新能源汽車的大力推廣，仍使IGBT市場獲得巨大的推動力。針對功率器件市場，三菱電機的策略則是IGBT和IPM齊頭并進。IGBT方面，該公司自1968年提出IGBT概念后，至今已經開發到第7代IGBT產品，尺寸越來越小，厚度越來越薄，功耗也越來越低。IPM方面，針對工業應用，三菱電機設計了G1 系列IPM殼式智能功率模塊，把IGBT芯片驅動和保護電路集成在一起。它功耗低，尺寸小，產品線較豐富，根據不同的電流等級，耐壓等級和實際散熱效果有不同封裝供客戶選擇。

Gourab Majumdar指出，SiC功率模塊性能極佳，是未來五到十年的主流,但是現在還沒有被市場廣泛接受，主要是由于性價比的問題，其次是應用技術的問題。SiC模塊的生產設備投資很高，晶圓良品率仍未達標，導致成本高昂，無法大量使用。未來，三菱電機將通過一些特殊領域的大規模使用以點帶面，令市場的價格逐步降下來。

“三菱電機既如過往，一直秉持可持續發展信念，不斷研發高性能、高可靠性及低損耗的前沿功率器件，來滿足電力電子市場持續不斷的需要。”