3月28日上午，總投資240億美元(約1600億元人民幣)的存儲器基地項目在武漢光谷正式啟動。這是國家發展集成電路產業的重大戰略部署，目標是當前最先進的3D NAND Flash，是中國公司真正走上自主生產半導體之路的里程碑。
2014年，國家頒布實施《國家集成電路產業發展推進綱要(2015-2025)》，制訂了今后10年發展集成電路產業戰略部署，同期成立國家集成電路產業領導小組和國家集成電路產業投資基金。2015年發展存儲器上升為國家戰略。
據悉，這一存儲器基地項目以芯片制造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體。
存儲器是信息系統的基礎核心芯片，亦是最大宗的集成電路產品，同時還是我國進口金額最大的集成電路產品。2014年全球存儲器市場規模約700億美元，約占全球集成電路市場份額的25%，同比增長約10%。我國是全球最大的電子信息產業基地，電子整機所用存儲器市場需求約2465.5億元，占我國集成電路市場規模的23.7%。2014年，我國集成電路進口額2176.2億美元，是我國進口額最大的產品，其中存儲器進口額占24.9%。因此該項目的布局，為我國打破主流存儲器領域空白，實現產業和經濟跨越發展提供了重要支撐。
為保證該項目順利實施，國家集成電路產業投資基金股份有限公司、湖北省集成電路產業投資基金股份有限公司、國開發展基金有限公司、湖北省科技投資集團有限公司共同出資作為股東，在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎上組建一家存儲器公司作為存儲器基地項目實施主體公司。
據悉，該項目位于東湖高新區的光谷智能制造產業園，建設內容包括芯片制造、產業鏈配套等，將在5年內投資240億美元，預計到2020年形成月產能30萬片的生產規模，到2030年建成每月100萬片的產能。
此前，湖北省、武漢市、東湖高新區共同設立了500億元湖北集成電路產業專屬投資基金，用于建設存儲器生產研發以及產業鏈上下游項目。
據悉，湖北省、武漢市將舉全省、全市之力，聚全球資源，將這一存儲器基地項目打造成湖北省調結構、實現轉型跨越發展的千億高科技產業項目，并將此項目作為實現國家“一帶一路”戰略的重要依托，作為武漢市建設國家中心城市、打造國家創新型城市的標桿項目，作為光谷建設全球有影響力創新創業中心、打造世界級光電子產業基地的核心引擎。
承接存儲器基地項目的東湖高新區是繼北京中關村后的第二個國家自主創新示范區，依其在光電子信息產業領域的領先地位，被譽為“中國光谷”，已成為我國高科技產業和參與國際競爭的主力軍。2015年企業總收入突破萬億元。在115個國家級高新區中綜合排名第3位，科技創新能力排名第2位。
2006年，為推動集成電路產業發展，加速存儲器基地項目建設，湖北省、武漢市和東湖高新區投資100億元建設了武漢新芯12英寸晶圓制造項目。經過10年的打造，目前武漢新芯已成為我國唯一以存儲器為主的集成電路制造企業。中國光谷以武漢新芯為龍頭，已初步形成了涵蓋設計、制造、封裝等比較完整的產業鏈，成為我國重要的集成電路產業聚集區之一。
這一存儲器基地項目建成后，以此為龍頭可以帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展，集合已經在光谷地區形成規模的顯示產業(天馬、華星光電)、智能終端產業(華為、聯想、富士康)，打造萬億級的芯片-顯示-智能終端全產業鏈生態體系，光谷將成為國內乃至全球最密集的電子信息產業基地。
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