為扶植本土半導體產業，中國祭出了“大基金”策略，但那就像是威力球(Powerball)彩券，盡管巨額資金吸引半導體廠商躍躍欲試，卻不知道如何能贏。
中國晶圓代工大廠中芯國際(SMIC)提供自家的案例：該公司取得了65納米與45納米工藝技術授權以求快速上市，卻沒有修改工藝技術的權力、不能創造具附加價值的服務；所以中芯又與IBM共同開發28納米工藝技術，雖然擁有了彈性，卻拉長了產品上市時程。
大客戶高通(Qualcomm)在去年開始采用其28納米多晶矽工藝，但中芯要等到今年底才會開始量產較高價值的High-K金屬閘極版本工藝。中芯在去年6月宣布了一個雄心勃勃的計畫，將與IMEC、華為(Huawei)與高通共同開發14納米FinFET技術；不過預期該技術要到2019年才能準備就緒，恐怕落后競爭對手臺積電(TSMC)三年以上。
 中芯國際行銷副總裁Sunny Hui |
中芯國際行銷副總裁Sunny Hui在最近于美國舉行的一場由SEMI主辦之產業策略高峰會(Industry Strategy Symposium，ISS)上接受EE Times美國版編輯訪問時表示：“我們也知道落后市場領先競爭對手許多，但這是一個我們必須經歷的階段──這場戰役的一部分是必須追逐摩爾定律(Moore’s Law)。”
臺積電(TSMC)在去年12月宣布，將在中國建立一座全資晶圓廠生產16納米FinFET芯片；這削弱了中芯國際扮演在中國本地服務不斷成長之無晶圓廠IC設計業社群的晶圓代工廠優勢。中芯的困境似乎透露了中國應該孤注一擲、爭取在更具競爭力的期限內提供先進技術，但Hui卻表示這是錯誤的教訓，他的建議是采取對市場動態更敏感的解決方案。
“我們歡迎更多廠商建立產業生態系統，因為我們關心的是，是否供應鏈按照需求被建立；”Hui表示：“如果中芯沒辦法達到夠快的速度，沒有理由對其他廠商的出現不高興…他們反而會迫使我們更努力加速技術開發。”
確實，中國嘗試以大量低價產品主導太陽能光電板與LED市場，卻也扼殺了利潤；政府當局規劃者應該不會希望在半導體領域重蹈覆轍。
中芯國際去年取得了約4億美元的“大基金”補助，讓該公司能開始興建位于北京的第三座晶圓廠B3；該座晶圓廠計劃生產FinFET工藝。而其B2晶圓廠今年將開始量產28納米與40納米工藝。
中國對存儲器需求龐大 電子模塊
市場研究機構Gartner與其他分析師預期，中國會在2020年成立三大主要晶圓廠，分別生產NAND、DRAM與邏輯芯片；而中國確實對存儲器芯片需求龐大。
存儲器大廠美光(Micron)的企業發展副總裁Michael Sadler在ISS表示，目前中國有四座存儲器晶圓廠，其中三座較大規模的廠分屬于海力士(SK Hynix)、英特爾(Intel)與三星(Samsung)，剩余一座規模相對較小的則是隸屬于中國本土廠商。
Sadler認為中國的規劃者將投資更多存儲器晶圓廠，而美光對于相關商機非常有興趣：“美光在中國做的生意比其他國家都多，業務規模成長幅度非常大；中國很顯然想要主導技術開發與如何在中國本地布署技術。”
中國目前只有一座存儲器廠是由本土廠商武漢新芯(XMC)經營（來源：Micron）
對中國來說，這幾乎是達到國家安全等級的大事，而如果能自己生產更多需要的存儲器芯片，也是對經濟的保護；去年7月市場傳出中國打算出資230億美元收購美光，但市場觀察家指出，這樁交易應該無法取得美國政府主管機關的批準。
筆者私下詢問Sadler，美光在與中國的協商中提出的要求有哪些？他表示，公司需要的是資本、進入市場的權利，以及在中國永續經營的模式，而不希望授權技 術以免培育出競爭對手。美光在這方面已經透過在臺灣的合資企業華亞科技(Iotera)取得一些經驗；華亞科原本是美光與臺塑共同合資，而美光最近將其他股東手中的股份買回，以取得更大的營運彈性。
Sadler的說法呼應了筆者先前詢問晶圓代工廠商Globalfoundries旗下Fab 8晶圓廠寵經理Tom Caulfield對中國的看法，他表示：“有意愿、有資金還不足以進入這個產業，他們需要的是找到一個合作模式。”
中芯的Hui則表示，想在市場取勝不一定要擁有最尖端的技術；以中芯為例，該公司擁有60種左右的不同工藝技術，包括一種非常適合物聯網(IoT)應用的低漏電55納米技術，最近才與可見光通訊技術創新廠商燦芯半導體(Brite Semiconductor)合作展示。
新的中國芯片投資計劃制勝模式還有待厘清，但無疑已有許多半導體廠商正摩拳擦掌，準備提案、希望能在經歷辛苦的協商過程之后，能贏得這場中國的“大基金”博弈。
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