三星電子 電子設計模塊
一直在先進工藝晶圓代工技術領域與臺積電(TSMC)激烈競爭的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14納米FinFET工藝劫走所有高通(Qualcomm)的訂單。最近，三星宣布推出采用其14納米LPP (Low-Power Plus)技術的商業化量產邏輯工藝。
香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻所有臺積電訂單的近兩成，到2017年之后會將大多數10/14納米訂單轉往三星：“三星會是未來高通14納米芯片與數據機的獨家供應商；10納米節點也會是相同的情況。”
三星14納米LPP先進工藝技術
三星表示，高通正采用該公司最新的14納米LPP工藝生產其Snapdragon 820處理器，首批產品將會應用于今年上半年推出的移動設備中；三星還強調該公司是FinFET技術的領導廠商，其第一代FinFET工藝在2015年第一季推出，當時該公司采用自家14納米LPE (Low-Power Early)工藝生產Exynos 7八核心處理器。而三星將采用新的14納米LPP工藝生產Exynos 8八核心處理器。
以上三星的新訊息，恰巧與臺積電在1月14日的最新預測同時發布。臺積電估計該公司在16/14納米節點市場的2016年占有率，將由2015年的50%增加為70%；同時臺積電也預測市場對其16納米產品需求增加，將貢獻該公司2016年度業績的兩成左右。
三星與臺積電都在開發較低價版本的FinFET工藝，以保持市場競爭力。在2015年第四季，臺積電完成開發16nm FinFET Compact (FFC)工藝，是該公司在2015年中發表的16納米FinFET工藝的較低功耗、較低成本版本。臺積電預計16納米FFC工藝會在本季開始量產。
而三星系統LSI業務與行銷副總裁Charlie Bae表示，該公司將會繼續提供先進14納米FinFET工藝技術的衍生版本，以維持技術領導地位。三星表示其最新14納米LPP工藝透過電晶體結構與技術的優化，能提供比前一代LPE工藝技術高15%的速度與低15%的功耗。
此外三星也表示，透過采用空乏(fully-depleted) FinFET電晶體，能提供強化的制造能力以克服工藝微縮極限。三星預期14納米FinFET工藝能應用于手機以及物聯網(IoT)芯片，還有需求高性能與省電的各種連網與車用芯片。
臺灣媒體稱，臺積電將在今年第一季度完成10nm制造工藝的流片，并在第四季度開始進入量產階段。在三星還在為14納米工藝產能尋找合作伙伴時，臺積電整整提前一年完成預定目標，2015年臺積電的半導體研發投入也創同行業新高。
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