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DRAM產能競賽再起,20nm工藝漸成主流

關鍵字:DRAM產能  20nm工藝  武岳峰收購芯成   電子制作模塊

受惠于全球智能手機的持續熱銷,DRAM產業在過去的一年獲利頗豐,TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange預估2015年的DRAM總產值將達512億美元規模,年成長為12%,為市場穩定增長獲利的一年。其中,2014年移動內存占整體DRAM產出的36%,2015年將有機會突破40%大關。

 

2015年第一季度,受DRAM合約均價下跌影響,加上筆記本電腦市場與智能手機步入傳統淡季,因此全球DRAM產業第一季總產值衰退達7.5%,營收僅120億美元。進入第二季度,臺灣兩大DRAM廠南亞科和華亞科均保守預期,認為DRAM售價可能繼續下滑。華亞科財務長沈道邦認為:“Q2移動DRAM價格將緩跌,平均銷售價格可能比Q1更差。”來自南亞科資深副總李培瑛表示:“預期需求依然熱絡,相比Q1的微幅供過于求,Q2的DRAM整體市場將恢復平穩,第三季度供不應求缺口不排除擴大,全年來看還是小幅供不應求。”

 

 

《國際電子商情》2015年Q1全球DRAM廠自有品牌內存營收排名
2015年Q1全球DRAM廠自有品牌內存營收排名
 

 

DRAM產業走過了景氣谷底,加上需求的持續保障,DRAM廠重新開始考慮建廠,從去年下半年開始陸續啟動擴建新廠,各家產能競賽再起,并穩步升級工藝。今年以來,中國政府積極扶持自有DRAM產業,各項政策與收購動作浮上臺面,攪局這一競爭格局相當穩定的市場。

韓臺廠商陸續擴產升級工藝

 

三星與SK海力士不約而同在2014年宣布擴建新廠的消息,產能競賽再起的傳聞甚囂塵上。但事實上,三星與SK海力士都將依據市場需求動態調整產能,三星在擴建Line17的同時,Line16 DRAM產能已悄悄縮減并歸還給NAND事業部使用。而SK海力士M14預計在明年第四季才有少量投片,較大規模的投片將在2016年才會浮現。美光也啟動臺灣R2廠部分空間。

 

臺資廠商的產能擴充相對謹慎,擴廠步伐步步為營,以避免過去失控性擴張。南亞科總經理高啟全強調,此次投資400億元臺幣建廠,只是為了月產能維持在6萬片規模,原先構想將5~6萬片都升級到20nm,但是資金需求量劇增至600億臺幣而將投資規模縮減。華亞科也啟動美亞廠,維持現有產量。

 

DRAM廠的工藝升級與產品比重分配,也將影響供需、價格。韓系DRAM廠25nm工藝在2014年下半年已邁入成熟期,無論良率與投片規模都成為DRAM主流規格。至于20nm工藝,三星已進入驗證階段,良率表現穩健,預計年末產出比例將逼近60%,仍是DRAM廠中的技術領先者。SK海力士預計在明年第二季初進入市場,營收雖然受到價格下滑而減少,但工藝升級25nm所帶來成本降低,依然讓SK海力士有著穩健的獲利。美光集團因為不少產能比重還在30nm工藝以下,20nm工藝升級也不如預期。

 

臺系廠商部分,南亞科目前在30nm微縮工藝順利導入,預計產出年末將超過50%,成本下降同時預計獲利也會持穩,20nm工藝預計明年才有機會導入量產行列。力晶受到標準型內存價格下滑影響,營收衰退7.9%,但25nm工藝已進入試產階段,最快年末可以導入量產。華邦由于無標準型內存產品產出,多以利基型內存與移動內存為主,加上整體產能量滿載,營收僅小幅衰退1.3%。

 

此外,在智能手機市場不斷擴大的同時,2015年移動內存市占也逼近全球市場的40%,相較于標準型內存27%的占比,移動內存已躍升全球DRAM市場主流產品。從移動內存做觀察,2015年主流規格仍是LPDDR3,產出量達60%以上,而新規格LPDDR4將首度應用在旗艦智能手機機種,無論省電機制與頻率更勝LPDDR3,預計2015年市占率將達到15%。

中國踏上自有DRAM之路

 

三星半導體與SK海力士今年第一季度自有品牌內存市占率各為43%與27%,韓系廠商合計穩占全球市場七成市占,而美系廠商掌握將近22.5%,臺系廠商瓜分剩余的5.4%。目前,三巨頭壟斷格局未改,市占率的餅圖分布輕易不會改變,除非有新競爭者加入。

 

與此同時,DRAMeXchange統計顯示,2014年中國市場的DRAM消化量金額為102億美金,占全球營業額約20%。其中移動內存在中國的營業額更達到56億美金,占中國市場總金額的55%;標準型內存與服務器內存也都分占中國DRAM的19%與11%。而中國筆記本電腦出貨達2500萬臺,占全球14%;桌面計算機亦有3200萬臺,占全球25%,也顯示出中國市場強勁的消費潛力。DRAMeXchange指出,中國DRAM市場規模已達二座100K投片規模的半導體廠,往后的電子產品對內存的需求只會越來越大,潛在產值超過百億美元之上。

 

 

《國際電子商情》2014各內存產品在中國市場的份額
2014各內存產品在中國市場的份額
 

 

因此,中國此刻正積極發展自有半導體產業,意圖攪局DRAM產業。今年3月,中國武岳峰資本宣布以6.4億美元并購在美國上市的芯成半導體。此并購案雖為中國武岳峰資本主導,但尚包含eTown MemTek Ltd.、清芯華創和華清基業,同時也與具官方色彩的上海市創業引導基金有合作,其中清芯華創也代表北京集成電路產業基金。因此,此次收購意味著上海與北京二大基金的合作,加上去年近期中國官方正式宣布了金額高達1200億人民幣的半導體政策,中國政府已在整合技術能量,往完整的DRAM之路積極邁進。

 

中國政府還與臺灣DRAM業者洽談合作機會,希望能藉由整合技術、人力并與國際接軌的優勢,并結合中國市場規模與臺灣生產技術,大幅降低每年中國市場DRAM的入超現狀。據悉,目前有六個地方政府積極爭取設立DRAM廠,而中國中央政府將會選出其中一個地方政府設廠,整合上游廠商發展出具中國自有的技術并綁定中、下游的產業結構成為一條龍的供應鏈,形成群聚效應。

 

不過,面對中國進軍DRAM市場的雄心,臺灣DRAM雙雄雙雙指出,由于欠缺關鍵技術,“未來五到十年,不會對臺灣造成威脅。”華亞科的沈道邦表示,“DRAM產業仰賴資金、人才與技術,目前技術都握在三大巨頭手上,分別是三星、海力士及美光,大陸的DRAM發展藍圖尚不明確,但從零開始,至少得花五到十年。”南亞科的李培瑛也認為,高技術門檻帶來了較高的難度,“唯一變數是,若三大廠愿意技術轉讓,并且提供蓋廠、工藝到驗證等支持,三年后就必須小心。”李培瑛繼續表示,南亞科的應對之道是改善產品組合、成本,舉例來說,30nm微縮產品今年首季占總產出五分之一,下半年將增至一半,未來升級20nm技術,產品組合將更多元。

 

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