關鍵字：三星Exynos 7420 三星14納米工藝 三星處理器 電子制作模塊
因此我們 TechInsights 認為值得仔細觀察一下其他較舊款的Exynos系列處理器，來看看是否能發現一些共通性；下方的圖片中，除了Exynos 7420的近距離特寫，還有Exynos 4412、5410、5430以及5433。
我們注意到Exynos 7420封裝上印刷的處理器型號“N8AZ9MP31”下方有“ALB”字樣，這被推測是指Albany機場，而且延伸聯想到GlobalFoundries同樣位于美國紐約州(Saratoga)的晶圓代工業者GlobalFoundries。而在其他Exynos處理器上也有類似的字樣，例如4412上的事ACA，5014上的是ABA，5422上的是AJB，5430上的是BJE，5433上的則是AKD。
Samsung Exynos 7420特寫 (來源：Techinsights)
經過搜尋全球各地的機場代碼(IATA 3- letter)，ACA代表的是墨西哥Acapulco，ABA代表的是俄羅斯的Abakan，AJB與BJE不存在，AKD是印度的Akola；而既然以上有兩種英文字母組合是不存在的，其他三個代表的機場又與三星晶圓廠距離甚遠，因此我們可以排除“ALB”是指晶圓代工廠位置的可能性。
至于Exynos GXL4928R中的字母G，在4412、5422、5433上也可見到，分別式GKL799X、GFL2349C與GUF6679M；我們認為G指的是在PoP (Package on Package)封裝內存模塊內使用SRAM，并不是晶圓代工廠的代號。
三星自家生產Exynos 7420，這是一大成就
我們也注意到，上述的Exynos處理器(4412、5422、5430與5433)是在14納米節點前好一段時間就生產了，也是在GlobalFoundries授權三星14納米工藝技術之前，因此G不可能指的是那家晶圓代工業者，可以排除；我們認為Exynos 7420是三星自家生產。
從下面的圖片可以看到面積為9.2 mm x 9.3 mm (86 mm2)的Exynos 7420裸晶；這款組件采用覆晶(flip-chip)方式與封裝基板以凸塊(bump)黏結，可以看到那些暗色的凸塊分布在裸晶的表面上。
我們一開始對7420的橫截面分析顯示該款芯片確實有FinFET晶體管，因此確定三星是采用14納米FinFET制成生產此處理器；我們量測到的接觸閘(contacted gate)間距約為77納米，比Exynos 5430所采用的20納米工藝之90納米間距小了15%左右。
Exynos 7420裸晶 (來源：Teardown.com)
掃描式電子顯微鏡(SEM)影像則顯示，圍繞在金屬閘極側邊與底部的閘介電質(gate dielectric)與功函數金屬(work function metal)。
Exynos 7420的FinFET晶體管
Exynos 7420的FinFET晶體管
在2015年4月發表的Exynos 7420，是繼英特爾(Intel)在2014年10月發表第一款14納米Broadwell 處理器5Y70之后，第一款采用14納米FinFET工藝生產的芯片；而這款芯片的發表距離三星于2014年9月發表的20納米節點Exynos 5420僅七個月。英特爾傳統上在工藝進展會比臺積電(TSMC)與三星超前一年，現在三星已經將差距縮短到半年，這是一大成就。
移動設備訪問
