關(guān)鍵字:功率半導(dǎo)體
IMS Research預(yù)計(jì),2012年增長最快的分立器件和模塊產(chǎn)品仍為IGBT。2011年,IGBT銷售額首次超過10億美元,年內(nèi)大部分時(shí)間都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。這種境況一直到歐債危機(jī)及中國政府暫停了相應(yīng)的能源補(bǔ)貼之后才有所減緩。2012年,IGBT增長的動力來自于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器和電源模塊,以及混合動力汽車應(yīng)用。預(yù)計(jì)雖然增長會放緩,但是整體分立IGBT市場仍將取得19%的增幅。
如IGBT般持續(xù)地增長是少見的,分立功率半導(dǎo)體市場的整體市場前景并不樂觀。2011年,功率MOSFET、可控硅和GTO、IGCT、GCT的營收都有輕微跌幅。計(jì)算領(lǐng)域和消費(fèi)電子領(lǐng)域是商用功率MOSFET和整流器市場的主要驅(qū)動力,而這兩個(gè)領(lǐng)域自2011年中以來一直下滑。預(yù)計(jì),MOSFET和整流器在整體分立功率半導(dǎo)體市場所占的份額總和將由2011年的75%下滑至2012年的74%以下,到2016年將進(jìn)一步下滑至僅72%。2012年,不僅是對筆記本電腦、液晶電視、DVD播放器/錄音機(jī)和其它消費(fèi)電子的出貨量將持平甚至下跌;同時(shí),由于用戶對低功耗的追求,每臺設(shè)備中的功率半導(dǎo)體量也將有所縮減。今年在西方國家由于模擬向數(shù)字的遷移幾近完成,由此導(dǎo)致的液晶電視銷售激增的情況也接近尾聲。
2012年,計(jì)算及辦公設(shè)備領(lǐng)域占整體功率MOSFET的份額將為37%。今年,以下幾個(gè)因素將導(dǎo)致MOSFET市場下滑:全球經(jīng)濟(jì)放緩,2011年泰國十月的洪災(zāi)影響了2012年前期的筆記本電腦生產(chǎn),微軟Windows 8發(fā)布前期的銷售放緩,以及因平板電腦崛起蠶食了筆記本電腦的市場份額(相比于筆記本電腦,平板設(shè)備搭載的功率MOSFET器件更少)。計(jì)算領(lǐng)域MOSFET在2012年及之后將有三個(gè)主要的影響。最顯著的變化在于微處理器技術(shù)方面,由于Intel最近發(fā)布的Ivy Bridge微架構(gòu)將比此前的型號節(jié)省高達(dá)50%的功耗,這也表明Ivy Bridge母板將比此前少用高達(dá)50%的功率MOSFET。其次,提高功率效率的需求正推動電源適配器的設(shè)計(jì)趨向于同步整流技術(shù),這將棄用整流二極管轉(zhuǎn)而采用MOSFET。最后,服務(wù)器市場將因“云計(jì)算”發(fā)生改變,未來預(yù)計(jì)將促進(jìn)大容量服務(wù)器的銷售,降低稍小型服務(wù)器企業(yè)的銷售。
2012年,分立功率半導(dǎo)體市場增長最快的是汽車和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,包括可再生能源、通訊、醫(yī)療、照明和交通等。蜂窩手持設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施,消費(fèi)電子以及計(jì)算和辦公設(shè)備領(lǐng)域的增長幅度將較平均水平更低。